日前，長(zhǎng)城汽車宣布，其聯(lián)合開發(fā)的RISC-V車規(guī)級(jí)MCU芯片——紫荊M100已完成研發(fā)，并成功點(diǎn)亮。

對(duì)于此次突破，長(zhǎng)城汽車董事長(zhǎng)魏建軍表示，“紫荊M100芯片不僅是國(guó)內(nèi)第一個(gè)基于‘RISC-V’架構(gòu)研發(fā)的車規(guī)級(jí)芯片，也是長(zhǎng)城汽車培育的首顆技術(shù)芯片。依托開源架構(gòu)，既避免被歐美技術(shù)限制，又保證架構(gòu)拓展的可能性?！?/p>

據(jù)了解，紫荊M100在設(shè)計(jì)上采用了模塊化理念，內(nèi)核可重構(gòu)，而4級(jí)流水線設(shè)計(jì)則使其具備更快的處理速度和更少的耗時(shí)，同時(shí)便于未來(lái)的升級(jí)擴(kuò)展。不僅如此，紫荊M100還滿足功能安全ASIL-B等級(jí)要求，支持國(guó)密，并符合ISO21434網(wǎng)絡(luò)信息安全標(biāo)準(zhǔn)。

近年來(lái)，伴隨著智能電動(dòng)汽車的快速發(fā)展，對(duì)車規(guī)級(jí)芯片需求持續(xù)大幅提升，早在2021年10月，長(zhǎng)城汽車就組建了專業(yè)團(tuán)隊(duì)，致力于功率半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)，并于2022年11月正式成立功率半導(dǎo)體模組封測(cè)公司——無(wú)錫芯動(dòng)半導(dǎo)體科技有限公司，專注于Si IGBT和SiC MOS的研發(fā)與創(chuàng)新。

2023年11月，由芯動(dòng)半導(dǎo)體自主研發(fā)的GFM平臺(tái) 750V/820A IGBT功率模塊順利裝車，首次實(shí)現(xiàn)在新能源汽車主驅(qū)控制器中的規(guī)模化應(yīng)用。不僅如此，芯動(dòng)半導(dǎo)體還先后和博世汽車電子、意法半導(dǎo)體等簽署了合作協(xié)議，以更好地推動(dòng)芯動(dòng)半導(dǎo)體SiC業(yè)務(wù)穩(wěn)步發(fā)展。

長(zhǎng)城汽車指出，此次點(diǎn)亮的紫荊M100，不僅是長(zhǎng)城汽車quot;軟硬一體quot;智能化戰(zhàn)略的重要成果，也將為未來(lái)智能駕駛、智能座艙等創(chuàng)新應(yīng)用構(gòu)建重要基石。

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